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SUN-502P 紫外正性光刻膠，是星泰克專利技術(shù)，主要特點(diǎn)為耐干法刻蝕性能好，120℃ 堅(jiān)膜不變形。適合于深刻蝕工藝，比如 7 微米以上的氮化鎵刻蝕。SUN-502P 采用安全性溶劑。

SUN-100P 系列紫外正性光刻膠采用安全溶劑，具有曝光靈敏度高、對(duì)比度高、分辨率高、光刻成品率高以及良好的工藝寬容度等諸多優(yōu)點(diǎn)。配方按 i- 線和g- 線光刻優(yōu)化，金屬離子濃度在 20ppb 以下，可廣泛應(yīng)用于 0.35μm 及以上線寬的IC 及相關(guān)半導(dǎo)體制造工藝。

一次旋涂可以達(dá)到20μm厚度，膜厚均勻，無(wú)氣泡，不開(kāi)裂。曝光量適中，圖形陡直度高，耐電鍍液，特別適應(yīng)于先進(jìn)封裝bumping工藝。本產(chǎn)品性能穩(wěn)定，廣受歡迎與好評(píng)，榮獲世界半導(dǎo)大會(huì)2018年度“中國(guó)半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)”獎(jiǎng) 。

我司自主研發(fā)的環(huán)境穩(wěn)定型的化學(xué)放大光刻膠（ESCAP），用于 248nm KrF 準(zhǔn)分子激光器光刻，可以用于 0.15-0.35 微米 Gate、Contact hole 等圖形的制造。

SUN-DeePR 耐深腐蝕負(fù)膠具有優(yōu)異的抗酸、抗堿腐蝕性能，特別是可耐高濃度 HF 酸腐蝕體系，具有良好的粘附性和較高的分辨率及高感度，是一款取代傳統(tǒng)環(huán)化橡膠體系負(fù)性光刻膠的產(chǎn)品。該產(chǎn)品不含有甲苯、二甲苯等對(duì)人體有害的溶劑成分，采用安全通用溶劑，低濃度堿性水溶液顯影，純水定影，無(wú)環(huán)保隱患，大大降低客戶使用成本。廣泛用于微電子微機(jī)械制造及相關(guān)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。

高硅光刻膠為星泰克自有技術(shù)，具有專利保護(hù)，既有正相也有負(fù)相，也可正負(fù)雙相。其高含硅量使其具有高抗干法刻蝕性能，應(yīng)用范圍廣，典型應(yīng)用是將 IC 制程中的三層工藝簡(jiǎn)化為兩層，將首層光刻膠與第二層硅 BARC 用一層高硅光刻膠替代。

SUN-8i紫外負(fù)性光刻膠采用安全溶劑，具有曝光靈敏度高、對(duì)比度高、分辨率高、光刻成品率高以及良好的工藝寬容度等諸多優(yōu)點(diǎn)，其最大特點(diǎn)是膜厚厚度范圍寬，最高可達(dá)100μm以上，可廣泛應(yīng)用于微電子微機(jī)械制造及相關(guān)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域以及需要高深寬比應(yīng)用的工藝中。

適合于堿性顯影液顯影，采用安全溶劑，具有對(duì)比度高、分辨率高、附著性佳、易于去除以及良好的工藝寬容度等諸多優(yōu)點(diǎn)，是lift-off制造工藝的專用光刻膠。

SUN-2000N 紫外負(fù)性光刻膠采用安全溶劑，具有曝光劑量低、對(duì)比度高、分辨率高、光透過(guò)率高、光刻成品率高以及良好的工藝寬容度等諸多優(yōu)點(diǎn)。可廣泛應(yīng)用于觸摸屏中的架橋?qū)雍外g化層等制造工藝。